Tecnologías epitaxiales de crecimiento de cristales semiconductores
In: Avance y perspectiva 21 (ene-feb. 2002), 21-31Summary: El término epitaxia (del griego epi, sobre, taxis, orden) apareció por primera vez hace aproximadamente 50 años. Este término se refiere a un proceso de crecimiento orientado de una película sobre un substrato, que puede ser del mismo material que la película (homoepitaxia) o bien de un material diferente (heteroepitaxia). A los procesos de cristalización de películas sobre la superficie de un substrato se les llama, en forma genérica, métodos de crecimiento epitaxial de cristales.| Item type | Current library | Collection | Call number | Materials specified | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Analítica | Biblioteca Legislativa | Hemeroteca | Available | 390544 |
El término epitaxia (del griego epi, sobre, taxis, orden) apareció por primera vez hace aproximadamente 50 años. Este término se refiere a un proceso de crecimiento orientado de una película sobre un substrato, que puede ser del mismo material que la película (homoepitaxia) o bien de un material diferente (heteroepitaxia). A los procesos de cristalización de películas sobre la superficie de un substrato se les llama, en forma genérica, métodos de crecimiento epitaxial de cristales.
There are no comments on this title.