Tecnologías epitaxiales de crecimiento de cristales semiconductores
Mishournyi, V. A. ; [et. al]
Tecnologías epitaxiales de crecimiento de cristales semiconductores
El término epitaxia (del griego epi, sobre, taxis, orden) apareció por primera vez hace aproximadamente 50 años. Este término se refiere a un proceso de crecimiento orientado de una película sobre un substrato, que puede ser del mismo material que la película (homoepitaxia) o bien de un material diferente (heteroepitaxia). A los procesos de cristalización de películas sobre la superficie de un substrato se les llama, en forma genérica, métodos de crecimiento epitaxial de cristales.
Tecnologías epitaxiales de crecimiento de cristales semiconductores
El término epitaxia (del griego epi, sobre, taxis, orden) apareció por primera vez hace aproximadamente 50 años. Este término se refiere a un proceso de crecimiento orientado de una película sobre un substrato, que puede ser del mismo material que la película (homoepitaxia) o bien de un material diferente (heteroepitaxia). A los procesos de cristalización de películas sobre la superficie de un substrato se les llama, en forma genérica, métodos de crecimiento epitaxial de cristales.
