Tecnologías epitaxiales de crecimiento de cristales semiconductores (Record no. 230799)
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| 000 -LÍDER | |
|---|---|
| Campo de control de longitud fija | 00917 a2200133 4500 |
| 035 ## - Número de ficha (Janium) | |
| Número de ficha (Janium) | (janium)239961 |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ULTIMA TRANSACCIÓN | |
| Campo de control | 20221115235148.0 |
| 008 - ELEMENTOS DE LONGITUD FIJA -- INFORMACIÓN GENERAL | |
| Campo de control de longitud fija | 101019e2002 mx |||p r z0 b|spaod |
| 100 1# - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL | |
| Nombre personal | Mishournyi, V. A. ; |
| Numeración | [et. al] |
| 245 10 - TÍTULO | |
| Título | Tecnologías epitaxiales de crecimiento de cristales semiconductores |
| 520 ## - NOTA DE RESUMEN, ETC. | |
| Nota de sumario, etc. | El término epitaxia (del griego epi, sobre, taxis, orden) apareció por primera vez hace aproximadamente 50 años. Este término se refiere a un proceso de crecimiento orientado de una película sobre un substrato, que puede ser del mismo material que la película (homoepitaxia) o bien de un material diferente (heteroepitaxia). A los procesos de cristalización de películas sobre la superficie de un substrato se les llama, en forma genérica, métodos de crecimiento epitaxial de cristales. |
| 773 0# - ASIENTO DEL ITEM FUENTE | |
| Título | Avance y perspectiva |
| Información sobre la relación | 21 (ene-feb. 2002), 21-31 |
| 998 ## - | |
| -- | HEM3 |
| -- | 20101019 |
| -- | janium |
| 952 ## - EXISTENCIAS (KOHA) | |
| -- | 1 |
| Ocultar del Opac | Ubicación | No. biblioteca | Fecha de adquisición | Total de prestamos | Código de barras | Fecha de ultima actividad | Tipo de material | Estado | Circula 1=Si, 0=No | Item permanente 1=Si, 0=No | Categoría 2 | Categoría 1 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Hemeroteca | Biblioteca Legislativa | 11/15/2022 | 390544 | 11/15/2022 | Analítica | Disponible | 1 | 1 | UNKNOWN | cat1 |
