| 000 | 00917 a2200133 4500 | ||
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| 035 | _a(janium)239961 | ||
| 005 | 20221115235148.0 | ||
| 998 |
_aHEM3 _b20101019 _zjanium |
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| 008 | 101019e2002 mx |||p r z0 b|spaod | ||
| 100 | 1 |
_aMishournyi, V. A. ; _b[et. al] |
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| 245 | 1 | 0 | _aTecnologías epitaxiales de crecimiento de cristales semiconductores |
| 520 | _aEl término epitaxia (del griego epi, sobre, taxis, orden) apareció por primera vez hace aproximadamente 50 años. Este término se refiere a un proceso de crecimiento orientado de una película sobre un substrato, que puede ser del mismo material que la película (homoepitaxia) o bien de un material diferente (heteroepitaxia). A los procesos de cristalización de películas sobre la superficie de un substrato se les llama, en forma genérica, métodos de crecimiento epitaxial de cristales. | ||
| 773 | 0 |
_tAvance y perspectiva _g21 (ene-feb. 2002), 21-31 |
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| 999 |
_c230799 _d230799 |
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